EPC(Efficient Power Conversion Corporation)

窒化ガリウム(GaN)に基づくパワー・マネージメント(電源管理)技術をリードするプロバイダであるEPCの最新情報を紹介します。

ホームソリューションデバイスソリューションEPC(Efficient Power Conversion Corporation)

会社概要

設立 2007年
本社所在地 米国カリフォルニア州

EPCはGaNが、その比類のない速度、効率、低コストによって、パワーの進歩におけるシリコンの後継者になることが必然である、という見通しに基づいて設立されました。実際、GaNは、性能の優位性がシリコンに対して1000対1程度になる可能性がある優れた結晶特性を備えています。

EPCのオフィシャルサイトはこちら

GaN Power Device

GaN Power Device
  • 耐圧15V~200Vまで用意
  • 小ゲート電荷が特長

Evaluation Board

Evaluation Board
  • LiDAR,DCDC,Class-D AudioWireless Power等
  • アプリケーション毎に用意

Wafer

Wafer
  • Wafer販売開始
  • 半田ボール無し等各種オプションを用意

最新情報


""
# タイトル 内容 更新日
1 EPC7018 プレスリリース EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm2と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 M rad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。 2022/06/15
2 GaN Talk サポートフォーラム プレスリリース 技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム(GaN)・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。 2022/06/10
3 EPC9173 プレスリリース EPC9173は、20 V〜85 Vの入力電源電圧で動作し、最大ピーク電流50 Apk(電流の実効値35 ARMS)を供給できます。 2022/06/06
4 EPC2066 プレスリリース EPC2066は、EPCの以前の第4世代製品であるEPC2024とフットプリントの互換性があります。面積×オン抵抗RDS(on)の第5世代の改善によって、EPC2066は同じ面積のオン抵抗を27%削減しています。 2022/05/27
5 SPG025N035P1B プレスリリース EPCは米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET (EPC2050)に置き換えることで、ソリューションのサイズを60%小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。 2022/05/20
6 EPC2071 プレスリリース EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。 2022/05/12
7 EPC7007 プレスリリース EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。 2022/05/09
8 PCIM Europe 2022 EPCのチームが、5月10〜12日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2022で、窒化ガリウム(GaN)技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。 2022/04/27
9 PCIM Europe 2022 EPCのGaNのエキスパートたちには、PCIM Europe期間中にホール9、スタンド113で会えます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのFETとICの最新の進展とアプリケーションについて話し合いましょう。 2022/04/22
10 EPC2221 プレスリリース 定格100 V、オン抵抗58 mΩ、パルス電流20 Aの共通ソースのデュアル窒化ガリウムFET「EPC2221」を発売したと発表しました。EPC2221は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機向けのLidar(光による検出と距離の測定)システムで使えます。 2022/04/21
11 EPC2050 プレスリリース 最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。 2022/04/08
12 EPC9171 プレスリリース 評価基板のEPC9171は、90 V〜265 Vの汎用交流入力を15 V〜48 Vの広い範囲にわたって調整可能な直流出力電圧に変換します。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。 2022/03/25
13 EPC9160 プレスリリース 入力電圧9 V~24 Vを3.3 V~5 Vの出力電圧に変換し、最大15 Aの連続電流を2つの出力に供給するスイッチング周波数2 MHzのデュアル出力同期バック(降圧型)・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9160」を製品化したと発表しました。 2022/03/15
14 APEC2022(続報) APEC2022(3/20-24)のご案内 2022/03/04
15 EPC9167 プレスリリースEPC9167は、入力電源電圧14 V〜60 V(公称48 V)で動作し、標準構成と大電流版の2つの構成があります。
  • 標準構成では、スイッチの位置ごとに1個のFETを使い、最大出力電流20 ARMSを供給できます。
  • 大電流構成のリファレンス・デザインEPC9167HCは、スイッチの位置ごとに2個の並列接続したFETを使い、最大出力電流42 Apk(30 ARMS)を供給できます。
2022/03/02
16 APEC2022 APEC2022(3/20-24)のご案内 2022/02/17
17 GaN Power Bench プレスリリース GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。 2022/01/21
18 EPC9166 プレスリリース EPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト(昇圧型)・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5%以上を実現できます。 2022/01/05
19 EPC9145 プレスリリース EPC9145は、最大オン抵抗RDS(on)が2.2 mΩ、最大デバイス電圧80 VのeGaN FET(EPC2206)を搭載した3相BLDCモーター駆動用インバータ基板です。この基板は、電動自転車、イーモーション、ドローン、ロボットのモーター用途に合わせこんでいます。 2021/11/10
20 EPC21601がWEAA受賞 eToF レーザー ・ ドライバ IC のEPC21601 が 米 ASPENCORE の World Electronics Achievement Awardを 受賞 2021/11/08
21 EPC2067 プレスリリース EPC2067は、48 V〜54 V入力のサーバーなど、高電力密度化に対する厳しい要件があるアプリケーションに最適です。より小さいゲート電荷と逆回復損失ゼロによって、最先端の電力密度が得られ、面積がわずか9.3 mm2、高効率で1 MHz以上の高周波動作が可能です。 2021/10/29
22 『 GaN Power Devices and Applications 』を発行 窒化ガリウムの技術とアプリケーションに関する最新情報を求めるプロの技術者、システム設計者、電気工学の学生に向けた貴重な学習資料を発行したと発表しました。 2021/10/28
23 EPC9162 プレスリリース バック(降圧型)または逆ブースト(昇圧型)の双方向コンバータである「EPC9162」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードは、同期コンバータ向けの100 VのEPC2052と、同期ブートストラップFET回路のEPC2038を搭載しています。 2021/10/27
24 EPC2065/EPC2054 プレスリリース 今回の新世代のeGaN® FETは、小型なBLDCモーター駆動回路と費用対効果の高い高解像度の飛行時間ToF(Time of Flight)に対するイーモビリティ、配送、物流ロボット、ドローンの各市場の新しいニーズに対応します。 2021/06/18
25 APEC 2021(6/14-17)プレスリリース APECのバーチャル会議+展示会で、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、および出展者ウェビナを実施すると発表しました。 2021/06/08
26 EPC9149 プレスリリース 変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。 2021/05/27
27 EPC9137 プレスリリース 非常に小さな実装面積で、効率97%で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。 2021/05/12
28 EPC9146 プレスリリース EPC9146は、3つの独立に制御できるハーフブリッジ回路を備え、ゲート・ドライバが集積されたモノリシックePower™ StageのEPC2152を搭載し、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は15 A(10 ARMS)です。 2021/05/10
29 PCIM Europe 2021 Digital Days プレスリリース 2件の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、出展者ウエビナを計画し、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関するパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。この展示会のバーチャル展示会にも参加し、eGaN®技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示します。 2021/04/14
30 EPC21603 プレスリリース 「EPC21603」は、LVDS論理を使って制御されるレーザー・ドライバで、100 MHzを超える非常に高い周波数で動作し、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調する超短パルス(2 ns以下)が実現可能です。 2021/03/24
31 EPC9150 プレスリリース EPC9150は、EPC2034Cを使い、レーザー・パルス幅がわずか2.9 ns、ピーク電流220 Aを供給できます。この大電流はLidarシステムの範囲を拡大し、パルス幅が短いので解像度が高くなります。 2021/03/23
32 EPC2219 プレスリリース 自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar(光による検出と距離の測定)システム向けに設計され、車載品質規格AEC Q101認定を取得した耐圧65 Vの「EPC2219」を製品化したと発表しました。 2021/03/03
33 EPC21601 プレスリリース 「EPC21601」は、100 MHzを超える高い周波数、2 ns以下の短いパルスで、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調するために、論理レベル3.3 Vを使って制御できるレーザー・ドライバです。 2021/02/24
34 EPC9157 プレスリリース デモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95%を超える効率を実現できます。 2021/02/15
35 フェーズ12の信頼性レポート プレスリリース フェーズ12の信頼性レポートを公表し、卓越したフィールド信頼性の記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました 2021/02/01
36 CES2021 プレスリリース CES2021(1/11-14)のプレスリリース 2021/01/07
37 CES 2021 CES2021(1/11-14)のご案内 2021/01/06
38 EPC2055 プレスリリース eGaN FET の「EPC2055」(3 mΩ、40 V)の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。 2020/12/25
39 EPC9151 プレスリリース パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。 2020/12/17
40 EPC2059 プレスリリース eGaN FET の「EPC2059」(6.8 mΩ、170 V)を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 2020/11/16
41 EPC9148, EPC9153 プレスリリース eGaN FET 搭載デモ・ボードを 2 品種製品化 、 250Wで48V入力の複数のDCDCソリューションで効率98%を実現、超薄 型で高密度のコンピューティング向け 2020/10/28
42 【設計のヒントのウエビナ】
GaN設計で性能を最大化するための簡単な設計のヒント(日本語で実施)
2020年12月2日(水)
午前10:00 (Tokyo Time)
このウエビナに参加して、最大性能を得るために、高性能電力変換回路にGaNトランジスタを使う基本的な技術を理解してください。 2020/10/28
43 【信頼性ウエビナ】
なぜGaNがシリコン・パワーMOSFETよりも丈夫かを理解する(日本語で実施)
2020年11月18日(水)
午前10:00 (Tokyo Time)
このウエビナに参加して、GaNパワー・デバイスの信頼性に関する重要な視点と、窒化ガリウム・デバイスの故障までのテストによって、シリコン・パワーMOSFEETに匹敵する丈夫さを実証する方法を見つけてください。 2020/10/28
44 100VのeGaN FETファミリ ー シリコン MOSFET に対するベンチマーク性能を向上へ プレスリリース 耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 2020/09/28
45 200VのeGaN FETファミリ ーを2倍高性能 へ プレスリリース 耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 2020/08/21
46 EPC9143 プレスリリース 米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPCの超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。 2020/07/16
47 PCIM Europe 2020 Digital Days(7/7-8) プレスリリース 3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。 2020/07/02
48 EPCと米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立 プレスリリース 衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した(Rad Hard)GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました 2020/06/19
49 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの後半を更新しました 2020/04/24
50 信頼性レポート:フェーズ11 プレスリリース 窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証:第11弾の信頼性レポートを発行 2020/04/24
51 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました 2020/04/03
52 EPC2152 EPC2152 ドライバ内蔵ハーフブリッジ 2020/03/19
53 EPC2152 プレスリリース EPC2152のプレスリリース 2020/03/19
54 APEC2020 プレスリリース APEC2020(3/15-19)のプレスリリース 2020/03/04
55 APEC2020 APEC2020(3/15-19)のご案内 2020/02/13
56 GaN Transistors for Efficient Power Conversion 第3版 電力変換の技術者がGaNトランジスタを使ってエネルギー効率が高く、小型で、より費用対効果の高い製品を設計できるようにする重要な学習ツールであり、リファレンス・ガイドです 2019/10/02
57 ポスター(ワイヤレス給電) ワイヤレスパワーソリューション 2019/08/28
58 ポスター(LiDAR) LiDAR向け製品のラインナップ 2019/08/28
59 超小型大電流GaN FET 大電流スイッチング動作を必要とするアプリケーションに対し高いパフォーマンスを提供する低オン抵抗eGaN ファミリ 2019/07/22
60 ワイヤレス給電 ワイヤレス給電へのソリューション 2019/06/19
61 LiDAR LiDAR (Light Distancing & Ranging)へのソリューション 2019/06/19
62 High Current eGaNファミリ 電流 90A製品 2019/06/19
63 EPC 第五世代 EPC2045 Qossの改善 2019/06/19
64 RENESAS Class-Dオーディオシステム EPC2051搭載リファレンスデザイン 2019/06/19
65 AEC Q101対応eGaN® FET AEC Q101テストのH3TRB(高温高湿逆バイアス試験)、HTGB(高温ゲートバイアス試験)、TC(温度サイクル試験)などを完了 2019/06/19
66 Wafer供給 GaNの優れた特性を活かしながらチップへのインテグレーションを行って頂くために、EPCからのWafer供給が可能 2019/06/19

こちらの製品に関するお問い合わせをご希望の方は、以下のフォームにご入力ください

    ■EPC(デバイスソリューション)についての問い合わせ






    プライバシーポリシーに同意の上、送信ください。
    reCAPTCHAで保護されています。プライバシー利用規約

    インターネットからのお問い合わせ
    総合窓口へのお問い合わせ