EPC(Efficient Power Conversion Corporation)
窒化ガリウム（GaN）に基づくパワー・マネージメント（電源管理）技術をリードするプロバイダであるEPCの最新情報を紹介します。
会社概要
| 設立 | 2007年 |
|---|---|
| 本社所在地 | 米国カリフォルニア州 |
EPCはGaNが、その比類のない速度、効率、低コストによって、パワーの進歩におけるシリコンの後継者になることが必然である、という見通しに基づいて設立されました。実際、GaNは、性能の優位性がシリコンに対して1000対１程度になる可能性がある優れた結晶特性を備えています。
GaN Power Device
- 耐圧15V~200Vまで用意
- 小ゲート電荷が特長
Evaluation Board
- LiDAR,DCDC,Class-D AudioWireless Power等
- アプリケーション毎に用意
Wafer
- Wafer販売開始
- 半田ボール無し等各種オプションを用意
最新情報
| # | タイトル | 内容 | 更新日 |
|---|---|---|---|
| 1 | EPC21601 プレスリリース | 「EPC21601」は、100 MHzを超える高い周波数、2 ns以下の短いパルスで、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調するために、論理レベル3.3 Vを使って制御できるレーザー・ドライバです。 | 2021/02/24 |
| 2 | EPC9157 プレスリリース | デモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。 | 2021/02/15 |
| 3 | フェーズ12の信頼性レポート プレスリリース | フェーズ12の信頼性レポートを公表し、卓越したフィールド信頼性の記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました | 2021/02/01 |
| 4 | CES2021 プレスリリース | CES2021(1/11-14)のプレスリリース | 2021/01/07 |
| 5 | CES 2021 | CES2021(1/11-14)のご案内 | 2021/01/06 |
| 6 | EPC2055 プレスリリース | eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。 | 2020/12/25 |
| 7 | EPC9151 プレスリリース | パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。 | 2020/12/17 |
| 8 | EPC2059 プレスリリース | eGaN FET の「EPC2059」（6.8 mΩ、170 V）を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/11/16 |
| 9 | EPC9148, EPC9153 プレスリリース | eGaN FET 搭載デモ・ボードを 2 品種製品化 、 250Wで48V入力の複数のDCDCソリューションで効率98%を実現、超薄 型で高密度のコンピューティング向け | 2020/10/28 |
| 10 | 【設計のヒントのウエビナ】 GaN設計で性能を最大化するための簡単な設計のヒント（日本語で実施） 2020年12月2日（水） 午前10:00 (Tokyo Time) |
このウエビナに参加して、最大性能を得るために、高性能電力変換回路にGaNトランジスタを使う基本的な技術を理解してください。 | 2020/10/28 |
| 11 | 【信頼性ウエビナ】 なぜGaNがシリコン・パワーMOSFETよりも丈夫かを理解する（日本語で実施） 2020年11月18日（水） 午前10:00 (Tokyo Time) |
このウエビナに参加して、GaNパワー・デバイスの信頼性に関する重要な視点と、窒化ガリウム・デバイスの故障までのテストによって、シリコン・パワーMOSFEETに匹敵する丈夫さを実証する方法を見つけてください。 | 2020/10/28 |
| 12 | 100VのeGaN FETファミリ ー シリコン MOSFET に対するベンチマーク性能を向上へ プレスリリース | 耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/09/28 |
| 13 | 200VのeGaN FETファミリ ーを2倍高性能 へ プレスリリース | 耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/08/21 |
| 14 | EPC9143 プレスリリース | 米マイクロチップ･テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPCの超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。 | 2020/07/16 |
| 15 | PCIM Europe 2020 Digital Days(7/7-8) プレスリリース | 3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表 しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。 | 2020/07/02 |
| 16 | EPCと米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立 プレスリリース | 衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した（Rad Hard）GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました | 2020/06/19 |
| 17 | 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース | 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの後半を更新しました | 2020/04/24 |
| 18 | 信頼性レポート：フェーズ11 プレスリリース | 窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証：第11弾の信頼性レポートを発行 | 2020/04/24 |
| 19 | 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース | 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました | 2020/04/03 |
| 20 | EPC2152 | EPC2152 ドライバ内蔵ハーフブリッジ | 2020/03/19 |
| 21 | EPC2152 プレスリリース | EPC2152のプレスリリース | 2020/03/19 |
| 22 | APEC2020 プレスリリース | APEC2020(3/15-19)のプレスリリース | 2020/03/04 |
| 23 | APEC2020 | APEC2020(3/15-19)のご案内 | 2020/02/13 |
| 24 | GaN Transistors for Efficient Power Conversion 第3版 | 電力変換の技術者がGaNトランジスタを使ってエネルギー効率が高く、小型で、より費用対効果の高い製品を設計できるようにする重要な学習ツールであり、リファレンス・ガイドです | 2019/10/02 |
| 25 | ポスター(ワイヤレス給電) | ワイヤレスパワーソリューション | 2019/08/28 |
| 26 | ポスター(LiDAR) | LiDAR向け製品のラインナップ | 2019/08/28 |
| 27 | 超小型大電流GaN FET | 大電流スイッチング動作を必要とするアプリケーションに対し高いパフォーマンスを提供する低オン抵抗eGaN ファミリ | 2019/07/22 |
| 28 | ワイヤレス給電 | ワイヤレス給電へのソリューション | 2019/06/19 |
| 29 | LiDAR | LiDAR (Light Distancing & Ranging)へのソリューション | 2019/06/19 |
| 30 | High Current eGaNファミリ | 電流 90A製品 | 2019/06/19 |
| 31 | EPC 第五世代 EPC2045 | Qossの改善 | 2019/06/19 |
| 32 | RENESAS Class-Dオーディオシステム | EPC2051搭載リファレンスデザイン | 2019/06/19 |
| 33 | AEC Q101対応eGaN® FET | AEC Q101テストのH3TRB(高温高湿逆バイアス試験）、HTGB(高温ゲートバイアス試験）、TC(温度サイクル試験）などを完了 | 2019/06/19 |
| 34 | Wafer供給 | GaNの優れた特性を活かしながらチップへのインテグレーションを行って頂くために、EPCからのWafer供給が可能 | 2019/06/19 |
こちらの製品に関するお問い合わせをご希望の方は、以下のフォームにご入力ください
インターネットからのお問い合わせ