EPC（Efficient Power Conversion Corporation）
窒化ガリウム（GaN）に基づくパワー・マネージメント（電源管理）技術をリードするプロバイダであるEPCの最新情報を紹介します。
会社概要
| 設立 | 2007年 |
|---|---|
| 本社所在地 | 米国カリフォルニア州 |
EPCはGaNが、その比類のない速度、効率、低コストによって、パワーの進歩におけるシリコンの後継者になることが必然である、という見通しに基づいて設立されました。実際、GaNは、性能の優位性がシリコンに対して1000対１程度になる可能性がある優れた結晶特性を備えています。
GaN Power Device
- 耐圧15V~200Vまで用意
- 小ゲート電荷が特長
Evaluation Board
- LiDAR,DCDC,Class-D AudioWireless Power等
- アプリケーション毎に用意
Wafer
- Wafer販売開始
- 半田ボール無し等各種オプションを用意
最新情報
| # | タイトル | 内容 | 更新日 |
|---|---|---|---|
| 1 | EPC9192 プレスリリース | 4月10日、大出力で小型、高効率なD級オーディオ・アンプを実現するリファレンス・デザイン「EPC9192」の製品化を発表しました。EPC9192は、グラウンド基準の分割デュアル電源シングルエンド（SE）設計における当社の200 VのEPC2307（eGaN FET）の能力を実証し、4 Ω負荷にチャネル当たり700 Wという驚異的な電力を供給します。 | 2024/04/16 |
| 2 | EPC9193 プレスリリース | eGaN® FETのEPC2619を使った3相BLDC モーター駆動用インバータ「EPC9193」を製品化したと発表しました。EPC9193は、14 V～65 Vと幅広い直流入力電圧範囲で動作し、標準版と大電流版の2つの構成があります | 2024/03/22 |
| 3 | フェーズ16の信頼性レポート プレスリリース | 3月13日、フェーズ16の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートでは、故障するまでのテスト手法を使った継続的な作業を文書化し、過電圧仕様や熱機械的信頼性の向上に関する具体的なガイドラインを追加しています。 | 2024/03/13 |
| 4 | EPC2361 プレスリリース | 耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。 | 2024/03/05 |
| 5 | APEC2024 | APEC2024（2/25-29）のご案内 | 2024/02/21 |
| 6 | GaN FET がDC DC 変換のベンチマークとなる電力密度と効率を実現したと発表 プレスリリース | GaN FETと米アナログ・デバイセズ（ADI）のコントローラを搭載したリファレンス・デザインの製品化を発表しました。 | 2024/02/21 |
| 7 | GaN FET によって、ナノ秒で75～231 A のレーザー・ダイオード制御が可能と発表 プレスリリース | パルス電流75 A、125 A、231 Aのレーザー・ドライバを搭載した3種の評価基板「EPC9179」、「EPC9181」、「EPC9180」を製品化したと発表しました。 | 2024/01/12 |
| 8 | CES 2024 | CES 2024（1/9-11）のご案内 | 2023/12/15 |
| 9 | SolMateがEPCのGaNを採用、効率を 2 倍にし、製品寿命を延長 へ プレスリリース | 革新的なバルコニー発電設備の設計と製造におけるオーストリアを拠点とするパイオニアであるEfficient Energy Technology GmbH（EET）が、同社の最新のSolMate®グリーン・ ソーラー・バルコニー製品に、当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）パワー・トランジスタのEPC2204を選択したと発表しました。 | 2023/12/11 |
| 10 | EPC9194 プレスリリース | 3相BLDCモーター駆動用インバータのリファレンス・デザイン「EPC9194」を製品化したと発表しました。14 V～60 Vの入力電源電圧範囲で動作し、最大60 Apk（40 ARMS）の出力電流を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、ドローン、ロボット、DCサーボ・モーターなどのさまざまな3相BLDCモーター駆動に最適です。 | 2023/11/01 |
| 11 | PC9159 プレスリリース | 高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と２次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム（GaN）・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。 | 2023/09/19 |
| 12 | EPC9186 プレスリリース | EPC2302を使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9186」を製品化したと発表しました。EPC9186は、14 Vから80 Vまでの幅広い入力直流電圧をサポートしています。EPC9186の大電力能力は、電動キックボード、小型電気自動車、農業機械、フォークリフト、大電力ドローンなどのアプリケーションに使えます。 | 2023/05/12 |
| 13 | EPC9158 プレスリリース | デュアル出力の同期整流型バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V～54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。 | 2023/05/08 |
| 14 | PCIM Europe 2023 | 5月3日、5月9日～11日にドイツのニュルンベルグで開催されるPCIM Europe 2023で、GaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介します | 2023/05/08 |
| 15 | EPC7020 / EPC7003 プレスリリース | 4月12日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。 | 2023/04/13 |
| 16 | フェーズ15の信頼性レポート プレスリリース | 4月6日、フェーズ 15の信頼性レポートを公開したと発表しました。これは、故障するまでテストするという方法論を使った継続的な作業を文書化し、太陽光発電のオプティマイザ、Lidar（光による検出と距離の測定）用センサー、DC-DCコンバータなどの実際のアプリケーションに対する特定の信頼性の指標と予測を追加しました。 | 2023/04/10 |
| 17 | EPC23103/EPC23104 プレスリリース | 定格が15 Aの「EPC23104」と25 Aの「EPC23103」の 2種の新しい耐圧100 Vのパワー段 ICを製品化したと発表しました。この2種のデバイスは、EPCが提供する100 V、35 Aのパワー段ICであるEPC23102のシリーズに加わります。 | 2023/03/24 |
| 18 | APEC2023 | APEC2022（3/19-23）のご案内 | 2023/03/16 |
| 19 | EPC9177 プレスリリース | マルチポート充電器向けの新しいUSB PD 3.1規格の厳しい要求や、28 V～48 V入力、12 Vまたは20 V出力のマザー・ボード搭載DC-DC変換に対応する高電力密度、低背のDC-DCコンバータ向けに、eGaN® ICベースのリファレンス・デザインEPC9177を製品化しました。 | 2023/03/02 |
| 20 | EPC2307 プレスリリース | "定格200 V、オン抵抗10 mΩの「EPC2307」を発売したと発表しました。実装面積が3 mm×5 mmと小型で、熱的に強化されたQFNパッケージに封止しています。 EPC2307は、以前に製品化した100 V、1.8 mΩのEPC2302、100 V、3.8 mΩのEPC2306、150 V、3 mΩのEPC2305、150 V、6 mΩのEPC2308、および200 V、5 mΩのEPC2304とフットプリントの互換性があるため、設計者はオン抵抗RDS(on)と価格のトレードオフを行って、同じプリント回路基板に、別の型番の製品を採用することで、効率またはコストのソリューションを最適化できます。 | "
2023/02/02 |
| 21 | EPC2252 プレスリリース | 実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。 | 2023/01/30 |
| 22 | EPC21701 プレスリリース | ロボット、監視システム、掃除機で使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバや3.3 Vの論理レベル入力を備えた80 V、40 AのFETをワン・チップにモノリシック化したレーザー・ドライバ「EPC21701」を製品化したと発表しました。 | 2023/01/19 |
| 23 | EPC2204 リファレンスデザイン プレスリリース | Richtekの新しいRT6190コントローラとEPCの超高効率 GaN FET であるEPC2204を組み合わせることで、高電力密度用途向けの従来のソリューションと比べて、ソリューションのサイズを20%以上小型化できます。 | 2023/01/16 |
| 24 | EPC2204A EPC2218A プレスリリース | EPC2204AとEPC2218Aは、マイルドハイブリッド車用の 48 Vと12 Vの間の双方向コンバータ、乗用車やトラックの24 Vと48 VのDC-DC、インフォテインメント、照明、ADAS（先進運転支援システム）など、高電力密度の厳しい要件の用途に最適です。 | 2022/12/09 |
| 25 | EPC2308 プレスリリース | EPC2308は、わずか4.9 mΩ（標準値）の非常に小さなオン抵抗RDS(on)と、小さい導通損失とスイッチング損失のための非常に小さなゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSを実現しています。このデバイスは、実装面積がわずか3 mm×5 mmの熱的に強化したQFNパッケージに収められており、最高の電力密度の用途向けに、非常に小型なソリューション・サイズの実現に貢献します。 | 2022/11/07 |
| 26 | EPC9176 プレスリリース | 組み込みゲート・ドライバ機能を備えた ePower™ StageのGaN ICであるEPC23102とオン抵抗が標準値で5.2 mΩの2個の GaN FETを使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9176」を製品化したと発表しました。 | 2022/10/17 |
| 27 | EPC2306 プレスリリース | "EPC2306は、オン抵抗が、わずか3.8 mΩと非常に小さく、非常に小さい ゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSを提供し、導通損失とスイッチング損失を低減します。 このデバイスは、上部が露出した熱的に強化されたQFNパッケージを採用し、実装面積は、わずか3 mm×5 mmであり、最高の電力密度の用途向けに、非常に小さなソリューション・サイズを実現できます。 | "2022/09/14 |
| 28 | 独BRC Solarが次世代ソーラー・オプティマイザにEPCの100 VのeGaN FETを選択 プレスリリース | EPC2218を次世代のパワー ・オプティマイザM500/14の設計に組み込むことで、低消費電力で小型なGaN FETによって、重要な負荷回路をより小型にできるので、より高い電流密度が可能になりました。 | 2022/08/29 |
| 29 | EPC23102 プレスリリース | EPC23102は、48 V入力、12 V出力のバック（降圧型）・コンバータで動作する場合、1 MHzのスイッチング周波数でピーク効率96%以上、定格電流は35 Aで、連続負荷電流は約8～17 Aを実現しています。 | 2022/08/22 |
| 30 | EPC7004 プレスリリース | EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm2と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。 | 2022/07/04 |
| 31 | EPC7018 プレスリリース | EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm2と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 M rad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。 | 2022/06/15 |
| 32 | GaN Talk サポートフォーラム プレスリリース | 技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム（GaN）・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。 | 2022/06/10 |
| 33 | EPC9173 プレスリリース | EPC9173は、20 V〜85 Vの入力電源電圧で動作し、最大ピーク電流50 Apk（電流の実効値35 ARMS）を供給できます。 | 2022/06/06 |
| 34 | EPC2066 プレスリリース | EPC2066は、EPCの以前の第4世代製品であるEPC2024とフットプリントの互換性があります。面積×オン抵抗RDS(on)の第5世代の改善によって、EPC2066は同じ面積のオン抵抗を27％削減しています。 | 2022/05/27 |
| 35 | SPG025N035P1B プレスリリース | EPCは米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET （EPC2050）に置き換えることで、ソリューションのサイズを60％小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。 | 2022/05/20 |
| 36 | EPC2071 プレスリリース | EPCは、耐圧100 V、オン抵抗2.2 mΩのGaN FETであるEPC2071を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも非常に小型で高効率なデバイスを供給します。 | 2022/05/12 |
| 37 | EPC7007 プレスリリース | EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。 | 2022/05/09 |
| 38 | PCIM Europe 2022 | EPCのチームが、5月10〜12日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2022で、窒化ガリウム（GaN）技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。 | 2022/04/27 |
| 39 | PCIM Europe 2022 | EPCのGaNのエキスパートたちには、PCIM Europe期間中にホール9、スタンド113で会えます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのFETとICの最新の進展とアプリケーションについて話し合いましょう。 | 2022/04/22 |
| 40 | EPC2221 プレスリリース | 定格100 V、オン抵抗58 mΩ、パルス電流20 Aの共通ソースのデュアル窒化ガリウムFET「EPC2221」を発売したと発表しました。EPC2221は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機向けのLidar（光による検出と距離の測定）システムで使えます。 | 2022/04/21 |
| 41 | EPC2050 プレスリリース | 最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。 | 2022/04/08 |
| 42 | EPC9171 プレスリリース | 評価基板のEPC9171は、90 V〜265 Vの汎用交流入力を15 V〜48 Vの広い範囲にわたって調整可能な直流出力電圧に変換します。このリファレンス・デザインは、出力電圧48 V、負荷電流5 Aで、最大出力電力240 Wを供給できます。 | 2022/03/25 |
| 43 | EPC9160 プレスリリース | 入力電圧9 V～24 Vを3.3 V～5 Vの出力電圧に変換し、最大15 Aの連続電流を2つの出力に供給するスイッチング周波数2 MHzのデュアル出力同期バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9160」を製品化したと発表しました。 | 2022/03/15 |
| 44 | APEC2022（続報） | APEC2022（3/20-24）のご案内 | 2022/03/04 |
| 45 | EPC9167 プレスリリース | "EPC9167は、入力電源電圧14 V〜60 V（公称48 V）で動作し、標準構成と大電流版の2つの構成があります。
| "
2022/03/02 |
| 46 | APEC2022 | APEC2022(3/20-24)のご案内 | 2022/02/17 |
| 47 | GaN Power Bench プレスリリース | GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。 | 2022/01/21 |
| 48 | EPC9166 プレスリリース | EPC9166は、EPCの最新世代eGaN FET のEPC2218と、ルネサス エレクトロニクスの80 V の2相同期ブースト（昇圧型）・コントローラISL81807を搭載し、スイッチング周波数500 kHzで12 V入力から48 Vの安定化出力への変換で、効率96.5％以上を実現できます。 | 2022/01/05 |
| 49 | EPC9145 プレスリリース | EPC9145は、最大オン抵抗RDS(on)が2.2 mΩ、最大デバイス電圧80 VのeGaN FET（EPC2206）を搭載した3相BLDCモーター駆動用インバータ基板です。この基板は、電動自転車、イーモーション、ドローン、ロボットのモーター用途に合わせこんでいます。 | 2021/11/10 |
| 50 | EPC21601がWEAA受賞 | eToF レーザー ・ ドライバ IC のEPC21601 が 米 ASPENCORE の World Electronics Achievement Awardを 受賞 | 2021/11/08 |
| 51 | EPC2067 プレスリリース | EPC2067は、48 V〜54 V入力のサーバーなど、高電力密度化に対する厳しい要件があるアプリケーションに最適です。より小さいゲート電荷と逆回復損失ゼロによって、最先端の電力密度が得られ、面積がわずか9.3 mm2、高効率で1 MHz以上の高周波動作が可能です。 | 2021/10/29 |
| 52 | 『 GaN Power Devices and Applications 』を発行 | 窒化ガリウムの技術とアプリケーションに関する最新情報を求めるプロの技術者、システム設計者、電気工学の学生に向けた貴重な学習資料を発行したと発表しました。 | 2021/10/28 |
| 53 | EPC9162 プレスリリース | バック（降圧型）または逆ブースト（昇圧型）の双方向コンバータである「EPC9162」を製品化したと発表しました。このデモ・ボードは、同期コンバータ向けの100 VのEPC2052と、同期ブートストラップFET回路のEPC2038を搭載しています。 | 2021/10/27 |
| 54 | EPC2065/EPC2054 プレスリリース | 今回の新世代のeGaN® FETは、小型なBLDCモーター駆動回路と費用対効果の高い高解像度の飛行時間ToF（Time of Flight）に対するイーモビリティ、配送、物流ロボット、ドローンの各市場の新しいニーズに対応します。 | 2021/06/18 |
| 55 | APEC 2021（6/14-17）プレスリリース | APECのバーチャル会議＋展示会で、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、および出展者ウェビナを実施すると発表しました。 | 2021/06/08 |
| 56 | EPC9149 プレスリリース | 変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。 | 2021/05/27 |
| 57 | EPC9137 プレスリリース | 非常に小さな実装面積で、効率97％で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。 | 2021/05/12 |
| 58 | EPC9146 プレスリリース | EPC9146は、3つの独立に制御できるハーフブリッジ回路を備え、ゲート・ドライバが集積されたモノリシックePower™ StageのEPC2152を搭載し、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は15 A（10 ARMS）です。 | 2021/05/10 |
| 59 | PCIM Europe 2021 Digital Days プレスリリース | 2件の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、出展者ウエビナを計画し、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関するパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。この展示会のバーチャル展示会にも参加し、eGaN®技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示します。 | 2021/04/14 |
| 60 | EPC21603 プレスリリース | 「EPC21603」は、LVDS論理を使って制御されるレーザー・ドライバで、100 MHzを超える非常に高い周波数で動作し、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調する超短パルス（2 ns以下）が実現可能です。 | 2021/03/24 |
| 61 | EPC9150 プレスリリース | EPC9150は、EPC2034Cを使い、レーザー・パルス幅がわずか2.9 ns、ピーク電流220 Aを供給できます。この大電流はLidarシステムの範囲を拡大し、パルス幅が短いので解像度が高くなります。 | 2021/03/23 |
| 62 | EPC2219 プレスリリース | 自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar（光による検出と距離の測定）システム向けに設計され、車載品質規格AEC Q101認定を取得した耐圧65 Vの「EPC2219」を製品化したと発表しました。 | 2021/03/03 |
| 63 | EPC21601 プレスリリース | 「EPC21601」は、100 MHzを超える高い周波数、2 ns以下の短いパルスで、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調するために、論理レベル3.3 Vを使って制御できるレーザー・ドライバです。 | 2021/02/24 |
| 64 | EPC9157 プレスリリース | デモ・ボードEPC9157は、ルネサス エレクトロニクスの80 Vのデュアル同期整流型バック・コントローラISL81806と、EPCの最新世代eGaN FETであるEPC2218とを統合し、25 Aで、48 V入力から12 Vの安定化出力への変換で95％を超える効率を実現できます。 | 2021/02/15 |
| 65 | フェーズ12の信頼性レポート プレスリリース | フェーズ12の信頼性レポートを公表し、卓越したフィールド信頼性の記録を達成するために使われた戦略を文書化したと発表しました | 2021/02/01 |
| 66 | CES2021 プレスリリース | CES2021(1/11-14)のプレスリリース | 2021/01/07 |
| 67 | CES 2021 | CES2021(1/11-14)のご案内 | 2021/01/06 |
| 68 | EPC2055 プレスリリース | eGaN FET の「EPC2055」（3 mΩ、40 V）の発売によって、既製の低耐圧の窒化ガリウム・トランジスタの性能向上が進展すると発表しました。 | 2020/12/25 |
| 69 | EPC9151 プレスリリース | パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。 | 2020/12/17 |
| 70 | EPC2059 プレスリリース | eGaN FET の「EPC2059」（6.8 mΩ、170 V）を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/11/16 |
| 71 | EPC9148, EPC9153 プレスリリース | eGaN FET 搭載デモ・ボードを 2 品種製品化 、 250Wで48V入力の複数のDCDCソリューションで効率98%を実現、超薄 型で高密度のコンピューティング向け | 2020/10/28 |
| 72 | 【設計のヒントのウエビナ】 GaN設計で性能を最大化するための簡単な設計のヒント（日本語で実施） 2020年12月2日（水） 午前10:00 (Tokyo Time) |
このウエビナに参加して、最大性能を得るために、高性能電力変換回路にGaNトランジスタを使う基本的な技術を理解してください。 | 2020/10/28 |
| 73 | 【信頼性ウエビナ】 なぜGaNがシリコン・パワーMOSFETよりも丈夫かを理解する（日本語で実施） 2020年11月18日（水） 午前10:00 (Tokyo Time) |
このウエビナに参加して、GaNパワー・デバイスの信頼性に関する重要な視点と、窒化ガリウム・デバイスの故障までのテストによって、シリコン・パワーMOSFEETに匹敵する丈夫さを実証する方法を見つけてください。 | 2020/10/28 |
| 74 | 100VのeGaN FETファミリ ー シリコン MOSFET に対するベンチマーク性能を向上へ プレスリリース | 耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/09/28 |
| 75 | 200VのeGaN FETファミリ ーを2倍高性能 へ プレスリリース | 耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 | 2020/08/21 |
| 76 | EPC9143 プレスリリース | 米マイクロチップ･テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPCの超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。 | 2020/07/16 |
| 77 | PCIM Europe 2020 Digital Days(7/7-8) プレスリリース | 3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。 | 2020/07/02 |
| 78 | EPCと米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立 プレスリリース | 衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した（Rad Hard）GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました | 2020/06/19 |
| 79 | 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース | 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの後半を更新しました | 2020/04/24 |
| 80 | 信頼性レポート：フェーズ11 プレスリリース | 窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証：第11弾の信頼性レポートを発行 | 2020/04/24 |
| 81 | 教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース | 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました | 2020/04/03 |
| 82 | EPC2152 | EPC2152 ドライバ内蔵ハーフブリッジ | 2020/03/19 |
| 83 | EPC2152 プレスリリース | EPC2152のプレスリリース | 2020/03/19 |
| 84 | APEC2020 プレスリリース | APEC2020(3/15-19)のプレスリリース | 2020/03/04 |
| 85 | APEC2020 | APEC2020(3/15-19)のご案内 | 2020/02/13 |
| 86 | GaN Transistors for Efficient Power Conversion 第3版 | 電力変換の技術者がGaNトランジスタを使ってエネルギー効率が高く、小型で、より費用対効果の高い製品を設計できるようにする重要な学習ツールであり、リファレンス・ガイドです | 2019/10/02 |
| 87 | ポスター(ワイヤレス給電) | ワイヤレスパワーソリューション | 2019/08/28 |
| 88 | ポスター(LiDAR) | LiDAR向け製品のラインナップ | 2019/08/28 |
| 89 | 超小型大電流GaN FET | 大電流スイッチング動作を必要とするアプリケーションに対し高いパフォーマンスを提供する低オン抵抗eGaN ファミリ | 2019/07/22 |
| 90 | ワイヤレス給電 | ワイヤレス給電へのソリューション | 2019/06/19 |
| 91 | LiDAR | LiDAR (Light Distancing & Ranging)へのソリューション | 2019/06/19 |
| 92 | High Current eGaNファミリ | 電流 90A製品 | 2019/06/19 |
| 93 | EPC 第五世代 EPC2045 | Qossの改善 | 2019/06/19 |
| 94 | RENESAS Class-Dオーディオシステム | EPC2051搭載リファレンスデザイン | 2019/06/19 |
| 95 | AEC Q101対応eGaN® FET | AEC Q101テストのH3TRB(高温高湿逆バイアス試験）、HTGB(高温ゲートバイアス試験）、TC(温度サイクル試験）などを完了 | 2019/06/19 |
| 96 | Wafer供給 | GaNの優れた特性を活かしながらチップへのインテグレーションを行って頂くために、EPCからのWafer供給が可能 | 2019/06/19 |
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