EPC(Efficient Power Conversion Corporation)

窒化ガリウム(GaN)に基づくパワー・マネージメント(電源管理)技術をリードするプロバイダであるEPCの最新情報を紹介します。

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会社概要

設立 2007年
本社所在地 米国カリフォルニア州

EPCはGaNが、その比類のない速度、効率、低コストによって、パワーの進歩におけるシリコンの後継者になることが必然である、という見通しに基づいて設立されました。実際、GaNは、性能の優位性がシリコンに対して1000対1程度になる可能性がある優れた結晶特性を備えています。

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GaN Power Device

GaN Power Device
  • 耐圧15V~200Vまで用意
  • 小ゲート電荷が特長

Evaluation Board

Evaluation Board
  • LiDAR,DCDC,Class-D AudioWireless Power等
  • アプリケーション毎に用意

Wafer

Wafer
  • Wafer販売開始
  • 半田ボール無し等各種オプションを用意

最新情報



  内容 更新日
Wafer供給 GaNの優れた特性を活かしながらチップへのインテグレーションを行って頂くために、EPCからのWafer供給が可能 2019/6/19
AEC Q101対応eGaN® FET AEC Q101テストのH3TRB(高温高湿逆バイアス試験)、HTGB(高温ゲートバイアス試験)、TC(温度サイクル試験)などを完了 2019/6/19
RENESAS Class-Dオーディオシステム EPC2051搭載リファレンスデザイン 2019/6/19
EPC 第五世代 EPC2045 Qossの改善 2019/6/19
High Current eGaNファミリ 電流 90A製品 2019/6/19
LiDAR LiDAR (Light Distancing & Ranging)へのソリューション 2019/6/19
ワイヤレス給電 ワイヤレス給電へのソリューション 2019/6/19
超小型大電流GaN FET 大電流スイッチング動作を必要とするアプリケーションに対し高いパフォーマンスを提供する低オン抵抗eGaN ファミリ 2019/7/22
ポスター(LiDAR) LiDAR向け製品のラインナップ 2019/8/28
ポスター(ワイヤレス給電) ワイヤレスパワーソリューション 2019/8/28
GaN Transistors for Efficient Power Conversion 第3版 電力変換の技術者がGaNトランジスタを使ってエネルギー効率が高く、小型で、より費用対効果の高い製品を設計できるようにする重要な学習ツールであり、リファレンス・ガイドです 2019/10/2
APEC2020 APEC2020(3/15-19)のご案内 2020/2/13
APEC2020 プレスリリース APEC2020(3/15-19)のプレスリリース 2020/3/4
EPC2152 プレスリリース EPC2152のプレスリリース 2020/3/19
EPC2152 EPC2152 ドライバ内蔵ハーフブリッジ 2020/3/19
教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの前半を更新しました 2020/4/3
信頼性レポート:フェーズ11 プレスリリース 窒化ガリウム・デバイスを故障するまでテストし、シリコンのパワーMOSFETに匹敵する耐久性を実証:第11弾の信頼性レポートを発行 2020/4/24
教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズ プレスリリース 窒化ガリウムのFETとICを使うLidar、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどの理論、設計の基本、およびアプリケーションに関する14部構成の教育用ビデオ・ポッドキャスト・シリーズの後半を更新しました 2020/4/24
EPCと米VPT社、合弁会社EPC Space社を設立 プレスリリース 衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した(Rad Hard)GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました 2020/6/19
PCIM Europe 2020 Digital Days(7/7-8) プレスリリース 3件の技術プレゼンテーションを行い、窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションに関する2件のパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。さらに、イベントの仮想展示にも参加し、eGaN技術を迅速に採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを出展します。 2020/7/02
EPC9143 プレスリリース 米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラとEPCの超高効率eGaN® FETの組み合わせによって、高効率、低コストのDC-DC変換に対して最高クラスの電力密度730 W / 立方インチが可能になります。 2020/7/16
200VのeGaN FETファミリ ーを2倍高性能 へ プレスリリース 耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。 2020/8/21

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