この度EPC社の技術者による、次世代アプリケーション『LiDAR』をテーマとした公開技術セミナーの開催が決定いたしました。
皆さまのご来場をお待ちしております。
■ 開催情報
日 時 : 2019年10月15日(金) 13:00~17:00(受付:12:30~)
場 所 : ベルサール八重洲
東京都中央区八重洲1-3-7八重洲ファーストフィナンシャルビル2・3F ベルサール八重洲
U R L : https://www.bellesalle.co.jp/shisetsu/tokyo/bs_yaesu/access/
会 場 : Room-6
講 演 者 : Michael de Rooij
テ ー マ : 『Why GaN?-革新的なLiDARデザインにGaNがどう貢献することができるのか』
■ アジェンダ
1. なぜLiDARなのか
2. なぜGaN?基本から仕組み、eGaNの使い方、基板レイアウト技術について
・LiDARアプリケーションの発展を担うGaNの役割
・基本的なLiDARの仕組み
・EPC GaN FETを使ったレーザーダイオードドライバーの基本
・高効率を達成するために必要な基板レイアウトの方法
・レーザードライバー開発ボードの使い方
3. 実験結果
■ 概要
近年LiDARとして知られているリモートセンシング技術は、特に距離測定において凄まじい発展を見せています。その発展の主な理由として挙げられているのがGaN FETです。GaN FETは費用対効果の高い性能を発揮することができ、また高耐圧、高周波レーザーダイオードドライバーを可能にします。これらのレーザードライバーの需要は著しく、パルス幅1nsという短さに、ピーク電流は10Aから100Aですが、EPCのeGaN FETとICはこれらのタスクには最適です。
このセミナーはeGaNを使ったレーザーダイオードドライバー設計の基本を紹介、さらにはLiDARの仕組みの基本、レーザードライバーデザインの基本、高効率を出すための基板レイアウト技術、EPC9126レーザードライバー開発ボードの使い方及び実験結果を紹介した後、テクノロジーのトレンドに関するディスカッションと質疑応答を行います。